台积电7nm停供中国大陆

    最新消息，台积电已向其在中国大陆的所有 AI 及 GPU 客户发送了正式通知，宣布自 11 月 11 日，也就是下周起，暂停供应所有 7纳米（nm）及更先进工艺的芯片。
    消息称，台积电会对晶体管数量大于 300 亿晶体管的芯片进行限制；同时，也会对 7nm 以下先进工艺、与 AI、HBM 和 CoWOS 封装相关的芯片进行限制。新规定甚至对芯片的 Die 面积做了严格指引。
    台积电停供，主要受中美竞争和 “白手套” 事件影响。
    从某种程度上说，这次全面封锁先进制程的决策，是对中国快速发展的 AI 产业一次精准打击，或导致供应链重组和成本增加。
    特朗普曾在 2024 年 6 月 25 日接受采访时表示，美国的全部芯片业务被台湾 “抢夺”，且没有得到任何好处，台湾应当向美国支付“防务费用”。 台积电的股价也在随后的 7 月 17 日应声跌超 2%。
    如今特朗普胜选，台积电这一决策似乎显示了其下定决心投诚，并与美国商务部共同制定了一套严苛的审查制度，全面封锁中国大陆的先进制程产能。
    7nm 技术节点是半导体制造中的一个重要里程碑，标志着晶体管尺寸越来越接近物理学的极限。
    截至目前，不同厂商在实现 7nm 工艺时采用的技术路线存在显著差异，特别是台积电、三星和英特尔的 FinFET 器件结构与英特尔的 DUV 光刻技术之间的比较。
    台积电的 7nm 工艺分为第一代 7nm 工艺（N7）、第二代 7nm 工艺（N7P）和7nm EUV（N7+）。其中，N7 和 N7P 使用的是 DUV 光刻技术，而 N7+ 则采用了 4 层 EUV 光刻技术。台积电的 7nm 工艺通过多重曝光技术和浸没式光刻技术来实现 7nm 节点。
    三星的 7nm 工艺采用了更为先进的 EUV 光刻技术。三星在多个叠层中采用了 EUV 光刻技术，并且在初期阶段仅用于选择层。三星的 7nm EUV 工艺被认为在性能和功耗方面更具优势。
    英特尔的 FinFET 器件结构与台积电和三星的工艺有所不同。英特尔的 FinFET 技术在 7nm 节点上仍然在使用，但其工艺路线与台积电和三星的 EUV 或 DUV 光刻技术有所不同。
    不过值得庆幸的是，7nm 芯片国产化进程已取得显著进展。
    华为 Mate 60 Pro 搭载的麒麟 9000S 处理器是一颗 7nm 工艺芯片，产地标注为中国大陆。此外，中芯国际也在努力推进国产化进程，其第二代 FinFET N+1 制程实质是 7nm 制程的低功耗低成本版本。（本文信源：多家官媒/网媒）